氮化镓电子迁移率晶体管/GaN HEMT
HEMT设备是三端压控设备，有三个电极:栅极、源极和漏极。栅极是典型的肖特基接触电极，而源极和漏极是欧姆接触电极。
通过调节施加于源极的栅极电压，可以控制通道中二维电子气体(2DEG)的密度，从而基于栅极电压和漏极电压控制漏极电流(输出电流)。
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